波長

632.8nm

Y、D

0.001°、0.01°  (90° 時50次測量標準差)

長期穩(wěn)定性

TanY = ±0.005；CosD =  ±0.005(90°超過1小時的測量)

膜厚

2? for 100 nm SiO2 on Si

折射率

0.001or 100 nm SiO2 on Si

厚度范圍

1nm-5μm（透明薄膜）；1nm–2.5μm（弱吸光性薄膜）

膜層數(shù)

3層復合膜

光學結構

PSCA模式

高穩(wěn)定度補償器C；CosD=1 附近有較高

起偏器P、補償器C、檢偏器A的位置自動跟蹤、以及自校準功能

光斑

<<1 mm；≈20 μm

入射角

55° - 90°；步進值5°

自檢

90°自動校準；包括原始測試波形的自檢

維護

自動的內(nèi)部維護程序，檢查部件是否在正常工作

數(shù)據(jù)庫

各種電介質(zhì)、薄膜、晶體及非晶半導體、金屬等的NK文件（數(shù)萬種）