大功率IGBT全參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)
　　我公司科研人員經(jīng)過連續(xù)技術(shù)攻關(guān)，在原有YB6500高端半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)基礎(chǔ)上，自行研發(fā)出國內(nèi)臺(tái)IGBT測(cè)試儀，圓滿解決了功率IGBT等新型半導(dǎo)體器件的全參數(shù)測(cè)試難題，填補(bǔ)了國內(nèi)在半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試領(lǐng)域的空白，該項(xiàng)產(chǎn)品綜合技術(shù)指標(biāo)國際水平。
　　
　　目前我公司提供的該項(xiàng)新產(chǎn)品采用模塊式功放結(jié)構(gòu)，主電流400A/500A/1000A/1250A可選，2500A/5000A選項(xiàng)可以根據(jù)用戶需要定制。
　　該產(chǎn)品可測(cè)IGBT參數(shù)包括了IC，BVC，IGF，IGR，VGETH，VGEON，VCAT，ICON，VF，GFS，r　CE等全直流參數(shù)，小電流指標(biāo)1%重復(fù)測(cè)試，大電流指標(biāo)0.5%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試，目前國外同類產(chǎn)品水平。
　　
　?。?）需要YB550選件
　　（2）需要柵80V選件
　　
　　該產(chǎn)品可針對(duì)目前封裝的多單元IGBT特征，根據(jù)用戶需要提供4/8/20單元掃描測(cè)試適配器，從而實(shí)現(xiàn)多單元封裝器件的性全參數(shù)測(cè)試。與測(cè)試系統(tǒng)相比，該產(chǎn)品可同時(shí)對(duì)各種功率的其它10-18多類半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行全參數(shù)測(cè)試，具有更高的使用效率。與國外同類產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品具有更高的性能價(jià)格比和國外廠家不能做到的優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)?！?

其他說明

電參數(shù)名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率
IC    IGF IGR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2)	100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A	1nA(50pA)(1)	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1)
BVC	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA    -100mA           -50mA	5mV	1%+100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)(2)	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCAT ICON VGEON VF GFS(混合參數(shù))	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE,VF: 0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A        - 1250A IGE,IF:   100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF:  1%+100nA IGE: 1%+5nA