場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

產(chǎn)品價(jià)格：: 電議

產(chǎn)品型號(hào)：: MOS-1場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

供應(yīng)商等級(jí)：: 免企業(yè)未認(rèn)證

經(jīng)營(yíng)模式：: 工廠

企業(yè)名稱：: 申達(dá)電子實(shí)驗(yàn)室

所屬地區(qū)：: 浙江省杭州市

發(fā)布時(shí)間：: 2014/3/10 20:03:48

86-571-87292965 86-13600537912

沈松濤先生(聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說(shuō)明是在維庫(kù)儀器儀表網(wǎng)看到的，謝謝)

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申達(dá)電子實(shí)驗(yàn)室

免企業(yè)未認(rèn)證證營(yíng)業(yè)執(zhí)照未上傳

經(jīng)營(yíng)模式：工廠

所在地：浙江省杭州市

主營(yíng)產(chǎn)品：電工電氣，電子元器件

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　　一、主要技術(shù)性能
　　
　　1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，：≤2.5% 。
　　
　　2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
　　
　　3、柵開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。：≤5% 。
　　
　　4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流：1—50 A連續(xù)可調(diào)，：≤10 % 。
　　
　　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 / S 。
　　
　　二、主要測(cè)試功能
　　
　　1、場(chǎng)效應(yīng)管擊穿電壓VDSS、開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
　　
　　2、IGBT擊穿電壓V(BR)ces、開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
　　
　　3、場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試（配對(duì)）。
　　
　　4、各類(lèi)晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
　　
　　5、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。