1、芯片的主要特點(diǎn):
● 全電壓輸入,恒壓可控制±5%以?xún)?nèi);
● 全電壓范圍內(nèi)高恒流調(diào)節(jié);
● 原邊控制外驅(qū)動(dòng)MOS芯片;
● 逐周期電流限制
● VDD低壓滯后閉鎖(UVLO);
● 啟動(dòng)電流(典型值 1uA);
● 帶可調(diào)線(xiàn)損補(bǔ)償 ;
● 內(nèi)置短路保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù);
● 內(nèi)置初級(jí)繞組電感補(bǔ)償;
● 內(nèi)置反饋回路打開(kāi)保護(hù);
● 內(nèi)置前沿消隱;
● 采用SOT23-6封裝- 應(yīng)用電路:









