真正一臺(tái)完整而具有“性價(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，
能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件！
特點(diǎn)：
☆ 可檢測(cè)12種半導(dǎo)體元件的參數(shù)多達(dá)135個(gè)；
☆ 可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2500V及50A；
☆ 具有自我校正及自我測(cè)試診斷之功能；
☆ 外接大電流機(jī)箱或高壓裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展至4800A及10KV；
☆ 具有USB接口，可外接PC、打印機(jī)、數(shù)據(jù)記錄器；
☆ 測(cè)試程序可儲(chǔ)存及重復(fù)使用；
☆ 錯(cuò)誤或損壞的元件，在未進(jìn)入?yún)?shù)測(cè)試前，便可被自動(dòng)篩除；
☆ 提供全自動(dòng)好/壞判別或參數(shù)上的測(cè)量；
☆ 提供Windows PC Curve Tracer特性曲線軟件（選購(gòu)）；
☆ 具有機(jī)械手接口，可供大量生產(chǎn)測(cè)試；
☆ 任何管腳錯(cuò)誤的連接，均可在啟動(dòng)時(shí)，安全快速地檢測(cè)到，且自動(dòng)停止測(cè)試動(dòng)作；
☆ 測(cè)試程序的產(chǎn)生，采用填充式的引導(dǎo)方式；
☆ 測(cè)試光耦輸出端為三極管或交直流可控硅的元件；
☆80μs~300μs脈沖測(cè)試間隔，可防止元件過熱造成的數(shù)據(jù)漂移或損毀。
☆ 采用自動(dòng)校準(zhǔn)軟件技術(shù)，可排除連接插件接觸面、電路板上的線路或繼電器接點(diǎn)上細(xì)微的壓降問題，以避免使用昂貴而麻煩的KELVIN插座，保證MOSFET的Rds(on)可達(dá)±1mΩ (±0.001Ω)。
元件類型 | 漏電流 | 崩潰電壓 | 導(dǎo)通參數(shù) | 放大倍率 | 觸發(fā)參數(shù) | 閂扣參數(shù) | 保持參數(shù) | 開關(guān)參數(shù) |
Bipolar Transistor | Iceo、Ices、Icev、Icbo、Iebo | BVceo、BVces BVcev、BVcbo BVebo | Vce(sat) Vbe(sat) | hFE | Vbe(on) | ton toff | ||
MOSFET Transistor | Idss、Igsr、Igsf、Idsv | BVdss | Vds(on)、Ids(on) Rds(on)、Vsd | gFS | Vgs(th) Vgs(on) | ton toff | ||
IGBT | Ices、Igsr、Igsf | BVces | Vce(sat)、 Ic(on)、Vf | gFS | Vge(th) Vge(on) | ton toff | ||
TRIAC | Idrm、Irrm | BVrrm、BVdrm | Vtm+、Vtm- | Iga 1/2/3/4 Vga 1/2/3/4 | Ih+、Ih- | |||
SCR | Idrm、Irrm、Igko | BVdrm、BVrrm BVgko | Vtm | Igt、Vgt | IL | Ih | ||
GTO | Idrm、Irrm、Igrm | Vtm | Igt、Vgt | IL | Ih | |||
DIODE | Ir | BVr | Vf、If | |||||
Zener Diode | Ir | BVz、BVr | Vf | |||||
J-FET | Igss | BVgss | Idss、Rds(on) Vds(on) | gFS | Vgs(p) | Id(p) | ||
Regulator | +/-Vo、+/-Ipk +/-Isc | +/-dV | +/-0r、+/-Ir | |||||
Optoisolator | Irrm、Ir、Iceo Icbo、Iebo Ic(off)、Idrm | BVceo、BVcbo BVebo | Vf、Ic(on)、 Vce(sat)、Vtm | CTR、hFE | Igt | Ih | ||
VTS | Ir | BVr | Vbo、bo、dVbo |
大功率半導(dǎo)體元件的測(cè)試
當(dāng)功率模塊老化時(shí)，其工作效能必定降低，一個(gè)應(yīng)用在大功率開關(guān)上的功率元件，在其使用期限內(nèi)，如能定期維護(hù)測(cè)
試，可確保其使用的狀態(tài)，防止故障發(fā)生。
IST 8900半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與
原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。
導(dǎo)通參數(shù)測(cè)試如：Vce(sat)、Vds(on)、Rds(on)、Vf及Vtm等，可由選購(gòu)?fù)獠侩娏髂KM2400與M4800，將IST 8900的大功率測(cè)試電流擴(kuò)大至數(shù)千安培。
每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；IST 8900可通過一個(gè)DB-25接口，連續(xù)控制電流量0~2400A或0~4800A。
可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)10KV。
| 泄漏電流測(cè)量檔位 Leakage Current Measurement Range | ||||||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電流檔位 Current Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | 測(cè)量條件 Test Condition | ||||||
| Iceo/s/v、Icbo、 Iebo、Idss/v、 Igsr/f、Idrm、 Irrm、Igko、 Igss、Ir、 Ic(off) | 0 - 400 nA | 0.1 nA | ± 3% | 0 - 2.5 KV | ||||||
| 0 - 4 μA | 1 nA | ± 1% | 0 - 2.5 KV | |||||||
| 0 - 40 μA | 10 nA | ± 1% | 0 - 2.5 KV | |||||||
| 0 - 400 μA | 0.1 nA | ± 1% | 0 - 2.5 KV | |||||||
| 0 - 4 mA | 1 μA | ± 1% | 0 - 2.5 KV | |||||||
| 0 - 40 mA | 10 μA | ± 1% | 0 - 2.0 KV | |||||||
| 0 - 400 mA | 0.1 mA | ± 1% | 0 - 1 KV | |||||||
| 崩潰電壓檔位 Breakdown Voltage Range | ||||||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電壓文件位 Voltage Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | 測(cè)量條件 Test Condition | ||||||
| BVceo/s/v、BVcbo、Vebo、BVdss、BVr、BVdrm、BVrrm、BVgss、BVz | 0 - 30 V | 0.05 V | ± 1% | 0 - 5 A | ||||||
| 30 - 60 V | 0.05 V | ± 1% | 0 - 2 A | |||||||
| 60 - 2500 V | 0.3 V | ± 2% | 0 - 40 mA | |||||||
| 導(dǎo)通電流測(cè)量檔位 On-State Current Range | ||||||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電流檔位 Current Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | 測(cè)量條件 Test Condition | ||||||
| hFE、Vce(sat)、Vbe(on)、Vbe(sat)、Vds(on)、Ids、Vds、Rds(on)、Ic(on)、Vf、If、Vtm、± Vo、± Ipk、± Isc、Vbo、Ibo | 0 - 20 mA | 5 μA | ±13% | 0 - 40 V | ||||||
| 0 - 200 mA | 50 μA | ± 1% | 0 - 40 V | |||||||
| 0 -2 A | 0.5 mA | ± 1% | 0 - 40 V | |||||||
| 0 - 25 A | 6 mA | ± 1% | 0 - 30 V | |||||||
| 0-50 A | 12mA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 觸發(fā)電流檔位 Trigger Current Range | ||||||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電流檔位 Current Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | 測(cè)量條件 Test Condition | ||||||
| hFE、Vgs(th)、Vbe(on)、Vgs(on)、Vge(th)、Vge(on)、Igt、Vgt、IL、Ih、Ic(on)、Igt 1/2/3/4、Vgt 1/2/3/4 | 0 - 100 μA | 20 nA | ±1% | 0 - 20 V | ||||||
| 0 - 1 mA | 0.2 μA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 0 -10 mA | 2 μA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 0 - 100 mA | 20 μA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 0 - 1 A | 0.2 mA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 0 - 20 A | 4 mA | ± 1% | 0 - 20 V | |||||||
| 觸發(fā)電壓文件位Trigger Voltage Range | ||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電壓文件位 Voltage Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | |||
| Vbe(on),Vbe(sat),Vge(on), Vgs(on), Vgt | 0 - 20 V | 4 mV | ± 1% | |||
| 開關(guān)時(shí)間 Switching Time | ||||||
| 測(cè)試參數(shù) Parameter | 電壓文件位 Voltage Range | 分辨率 Resolution | Accuracy | |||
| ton、toff | 0 - 1095 ns 連續(xù)調(diào)整 | 5 ns | ± 1% | |||
| 機(jī)身規(guī)格 | ||
| 儀器 | 體積 高x深X寬 | 重量 |
| 主機(jī) | 11.43cm x43.69cm x41.91cm | 7.7 kg |
| M2400A | 31.75cm x44.45cm x53.34cm | 75 kg |
| M4800A | 49.53cm x44.45cm x53.34cm | 120 kg |
| 10kV電壓模塊 | 12.7cm x 27.94cm x30.48cm | 5.5 kg |
● AC電源線
● 操作手冊(cè)
● 二極管軸心引腳測(cè)試治具
● 測(cè)試治具，適用于TO-220、202、237、218、92
● 測(cè)試治具，適用于TO-247、247 super
● 測(cè)試治具，適用于SMD封裝
選購(gòu)配件：
● 通用測(cè)試夾治具(短測(cè)試線)
● 通用測(cè)試夾治具(長(zhǎng)測(cè)試線)
● 測(cè)試插座轉(zhuǎn)接器，適用于單/雙光耦合裝置
● 測(cè)試治具，適用于TO-3、66、204
● DB-25公頭/公頭接口控制導(dǎo)線，適用于連接外部模
塊機(jī)箱
● 超彈性硅膠大功率測(cè)試線
● 夾式測(cè)試治具，適用于150mm直徑圓盤封裝
