JKZC-GSTS08型氣體傳感器陣測試系統(tǒng)

關鍵詞:氣敏，傳感器，動態(tài)，靜態(tài),MEMS

（一）系統(tǒng)簡介

　　JKZC-GSTS08氣體傳感器陣測試系統(tǒng)主要完成氣體敏感材料及氣敏傳感器器件的性能檢測和評價，適用氣體范圍包括常溫是氣態(tài)的氣體和部分揮發(fā)性液體，如乙醇、苯等，濕敏作為氣敏的一個分支，此系統(tǒng)可完成水的含量和相對濕度(%RH)的敏感性評價。

　　JKZC-GSTS08氣體傳感器陣測試系統(tǒng)采用計算機控制下的動態(tài)配氣方式實現(xiàn)對傳感器各類相關性能指標的測試，消除了傳統(tǒng)靜態(tài)配氣帶來的方法誤差，借助內(nèi)置的多項實驗方法，能快速地完成氣敏材料和元器件的靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)的檢測， 協(xié)助進行氣敏材料的特性研究、工藝開發(fā)和器件生產(chǎn)中生產(chǎn)檢驗和質(zhì)量控制。整套測試系統(tǒng)由計算機、測試機箱、配氣機箱、檢測氣室（檢測模塊）等組成，檢測對象覆蓋目前常用氣敏傳感器和氣敏材料，如金屬氧化物半導體氣敏傳感、熱催化式傳感、光催化式傳感、 電化學傳感、MEMS氣敏、氧化鋯氧傳感、生物傳感、有機材料傳感、光電式傳感等，通過配用不同的檢測氣室(模塊)，可以快速進行切換和測量。是生產(chǎn)單位和科研院校的重要設備。

（二）主要特點

1、軟硬件操作簡便，穩(wěn)定可靠，測試系統(tǒng)擴展性好；

2、軟件可完成全部相關的測控工作，有操作向?qū)Ш投鄠€默認測試方法，應用上手快；

3、對復雜或重復性過程，可自定義測試流程，降低工作量；

4、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理等多窗口可同時進行，數(shù)據(jù)可導出；

5、支持金屬氧化物半導體、催化燃燒、電化學等多種類型氣敏測量，且通過更換氣室即可實現(xiàn)；

6、支持動態(tài)混氣和靜態(tài)混氣方式

（三）主要技術(shù)參數(shù)

JKZC-QT08可以配用不同的檢測氣室/模塊，下表為三種主要類型氣敏傳感器的指標，具體指標根據(jù)應用要求的不同可能會有變化。

優(yōu)勢（1）：動態(tài)和靜態(tài)氣體混氣測量

動態(tài)和靜態(tài)方式是以進行測試時氣體是不流動還是處于穩(wěn)定流動態(tài)來區(qū)別的。

采用流量調(diào)節(jié)閥控制組分的流量，實現(xiàn)測試氣源的稀釋           在背景氣容器中，注入定容的氣體或液氣

（三）測試方法

　　測試方法是基于儀器操控、數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理之上，為便于快速完成特點參數(shù)和性能的測量而內(nèi)置的自動化流程。軟件設置了多項測試方法， 通過新測試向?qū)Э梢苑奖愕剡M行切換和參數(shù)配置，下圖為靈敏度測試中常用的兩種方法。

                    方法一（靈敏度脈沖法）

                     方法二（靈敏度臺階法）

（四）器件檢測氣室

　　測試系統(tǒng)支持多種類型和封裝尺寸氣敏傳感器，氣敏材料采用不同工藝手段形成器件，通過器件檢測氣室進行氣敏性能檢測。

常用氣室如下：

1-1、材料檢測氣室

　　材料氣室的開發(fā)，為獨立檢測和評價金屬氧化物材料、有機材料、光催化材料等多種敏感材料的性能提供了可靠的測試環(huán)境。 經(jīng)過應用總結(jié)，在一代氣室的基礎上改進升級出了二代氣室，屬于專利產(chǎn)品。

二代材料氣室與一代相比，做了多項改進：

1、氣室死體積減小了65%，進一步縮短氣室氣體置換所需時間；

2、提高了樣品臺溫度的均勻性和準確性，溫度偏差<0.2，提高了對梯度升溫控制的支持

3、裝夾樣品操作更便利，帶防燙手；

4、采用金合金探針，強度高、耐高溫、耐腐蝕；

5、氣室頂端設置有觀察窗，便于觀察樣品變化；

6、氣室氣體流路經(jīng)過優(yōu)化設計，氣流均勻穩(wěn)定。

傳感器氣敏材料制樣

氣敏傳感器的制樣是氣敏性能測試的關鍵，不同類型傳感器制樣方法不同，下面以最常用的金屬氧化物半導體氣敏材料為例介紹制樣方法。
金屬氧化物半導體氣敏傳感器分為旁熱式（陶瓷管式）和直熱式（平面基本式）兩大類，其制作方法如下：

將適量的敏感材料置于研缽中研磨，可加入無水乙醇、去離子水、乙基纖維素和松油醇粘合劑等溶劑，使材料均勻地粉化為糊狀

通過潔凈軟毛刷使糊狀粉體均勻地涂覆于帶有電極的陶瓷管或陶瓷片表面，待測粉體要覆蓋住電極，且不能過厚，以免影響電阻值和脫落

將涂好的樣品置于烘箱中干燥，使溶劑揮發(fā)

將樣品放入加熱爐，在設定溫度下（二氧化錫一般為600℃-650℃ 1小時）燒結(jié)

若使用陶瓷管樣品，需要利用電烙鐵將元件焊接到相應的底座上，并在陶瓷管中插入一根加熱絲（通常為Ni-Gr）

為使器件能夠擁有更加良好的穩(wěn)定度，一般可將器件進行不低于24小時的老化處理（保持電阻絲兩端電壓穩(wěn)定，防止器件脫焊）

 知識拓展

原位生長（合成）法也是金屬基復合材料常用的的制備方法，指在不摻雜其他復雜元素和一定條件下，利用不同元素或化學物質(zhì)之間的反應在體系內(nèi)直接合成新型 復合材料的方法，其原理是通過控制反應條件以控制材料的晶體的生長方向，從而控制三維結(jié)構(gòu)的形成。原位合成法大致分為氣-液、固-液及液-液反應三大類。

MEMS氣敏主要應用方向是半導體氣敏傳感，實現(xiàn)了氣敏傳感技術(shù)和IC技術(shù)的融合，將氣敏元件、加熱器和測溫元件集成到一塊芯片上，進行溫度的控制，主 要分為硅基MEMS和硅MEMS氣敏兩大類。
常用氣源制取方法

有多種方法可以獲取氣敏測試的氣源，它們有各自的優(yōu)缺點和適用的場景，常用方法如下表：

氣體濃度范圍

氣體濃度的表示有體積濃度、質(zhì)量濃度、摩爾濃度等，最常用的是體積濃度。