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 NPO電容器 （高頻電容）
NPO是一種常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0&plun;30PPM/℃，電容量隨頻率的變化小于&plun;0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于&plun;0.05%，相對大于&plun;2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于&plun;0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC="50V" DC="100V"
0805 0.5---1000PF 0.5---820PF
1206 0.5---1200PF 0.5---1800PF
---5600PF 560---2700PF
PF---0.033μF 1000PF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。器變F5率Y（7容阻具P---的基e

 X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC="50V" DC="100V"
PF---0.056μF 330PF---0.012μF
PF---0.15μF 1000PF---0.047μF
PF---0.22μF 1000PF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF6了址使。4-.2F電。，的8-間同

Y5V電容器
Y5V電容器是一種有溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 DC="25V" DC="50V"
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -82%
介質(zhì)損耗 5%R2化-以5區(qū)。3較電溫--4電。-

品牌：三星/samsung

料號：CL21B475KONC

尺寸：0805（2012）2.0mm*1.25mm*1.25mm

材質(zhì)： B(X7R)

容量：475(4.7uF)

誤差：K(+-10%)

電壓：O/16V

小包裝：2000PCS(2Kpcs)

是否現(xiàn)貨：是

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   深圳市興承業(yè)電子有限公司

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