較新型的MOSFET具有更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，在直到600V的中等電壓應(yīng)用中正在取代IGBT。設(shè)計(jì)替代性能源電力系統(tǒng)、UPS、開關(guān)電源（SMPS）和其他工業(yè)系統(tǒng)的工程師正不斷設(shè)法改進(jìn)這些系統(tǒng)的輕載和滿載效率、功率密度、性和動(dòng)態(tài)性能。風(fēng)能是快的能源之一，一個(gè)應(yīng)用實(shí)例就是風(fēng)力機(jī)葉片控制，其中使用了大量的MOSFET器件。通過迎合不同的應(yīng)用需求，特定應(yīng)用的MOSFET可以幫助實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)。
其它需要新型和特定MOSFET解決方案的近期應(yīng)用，包括易于安裝在家庭車庫和商業(yè)停車場的電動(dòng)汽車（EV）充電系統(tǒng)。這些EV充電系統(tǒng)將通過光伏（PV）太陽能系統(tǒng)和公用運(yùn)行。壁掛式EV充電站須實(shí)現(xiàn)快速充電。對于通信電源而言，PV電池充電站也將變得重要。
三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)和UPS逆變器需要相同類型的MOSFET，但PV太陽能逆變器可能需要不同的MOSFET，如Ultra FRFET MOSFET和常規(guī)體二管MOSFET。近幾年，業(yè)界大量投資PV太陽能發(fā)電。大多數(shù)開始于住宅太陽能項(xiàng)目，但較大的商業(yè)項(xiàng)目正在出現(xiàn)：諸如多晶硅價(jià)格從2007年400美元/千克跌落至2009年70美元/千克等，都了大的市場。
正在普及的并網(wǎng)逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電并注入現(xiàn)有公用的逆變器。直流電源由可再生能源產(chǎn)生，比如小型或大型的風(fēng)力機(jī)組或PV太陽能電池板。該逆變器也被稱為同步逆變器。當(dāng)連接至?xí)r，并網(wǎng)逆變器才會(huì)工作。今天市場上的逆變器采用了不同的拓?fù)湓O(shè)計(jì)，取決于設(shè)計(jì)的權(quán)衡要求。式逆變器采用不同設(shè)計(jì)，以按照整、滯后或功率因數(shù)供電。
對PV太陽能系統(tǒng)的市場需求早已存在，因?yàn)樘柲芸梢詭椭档透叻咫娏Τ杀?，能夠消除燃料成本的波?dòng)性，可為公用提供更多的電力，還可作為“綠色”能源進(jìn)行推廣。
美國已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，要求電力的80%來自綠色能源。原因如上所述，結(jié)合美國的目標(biāo)，PV太陽能解決方案已經(jīng)成為一個(gè)不斷的市場。這帶來了對MOSFET器件不斷的需求。如果優(yōu)化不同拓?fù)涞?/span>MOSFET器件，終端產(chǎn)品的解決方案可實(shí)現(xiàn)顯著的效率。
高開關(guān)頻率應(yīng)用需要以RDSON為代價(jià)來降低MOSFET的寄生電容，而低頻應(yīng)用卻要求以降低RDSON為優(yōu)先級。對于單端應(yīng)用，MOSFET體二管的恢復(fù)并不重要，但對于雙端應(yīng)用卻重要，因?yàn)樗鼈冃枰?/span>tRR、QRR和更軟的體二級管恢復(fù)。在軟開關(guān)雙端應(yīng)用中，這些要求對于性其重要。在硬開關(guān)應(yīng)用中，隨著工作電壓增加，導(dǎo)通和關(guān)斷損耗也將增加。為減少關(guān)斷損耗，可以根據(jù)RDSON來優(yōu)化CRSS和COSS。
MOSFET支持電壓開關(guān)（ZVS）和電流開關(guān)（ZCS）拓?fù)?，不過IGBT卻支持ZCS拓?fù)?。通常?/span>IGBT用于大電流和低頻開關(guān)，而MOSFET則用于小電流和高頻開關(guān)。混合模式工具可以用來設(shè)計(jì)特定應(yīng)用的MOSFET。在硅和溝槽技術(shù)方面的進(jìn)展降低了導(dǎo)通電阻（RDSON）和其他動(dòng)態(tài)寄生電容，并改進(jìn)了MOSFET的體二管恢復(fù)性能。封裝技術(shù)也在這些特定應(yīng)用的MOSFET中發(fā)揮了作用。
逆變器系統(tǒng)
DC-AC逆變器廣泛用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS和綠色能源系統(tǒng)。通常，高電壓和大功率的系統(tǒng)使用IGBT，但對于低壓、中壓和高壓（12V至400V輸入直流總線）而言，通常使用MOSFET。在用于太陽能逆變器、UPS逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的高頻DC-AC逆變器中，MOSFET已獲得普及。在直流總線電壓大于400V的某些應(yīng)用中，高壓MOSFET被用于小功率應(yīng)用。MOSFET具有一個(gè)固有的開關(guān)性能很差的體二管，該二管通常會(huì)在逆變器橋臂的互補(bǔ)MOSFET中帶來高開通損耗。在單開關(guān)或單端應(yīng)用（例如PFC、正激或反激轉(zhuǎn)換器）中，體二管并未正向偏置，因而可以忽略它的存在。低載頻逆變器承受著附加輸出濾波器的尺寸、重量和成本的負(fù)擔(dān)；高載頻逆變器的優(yōu)勢則是更小、更的低通濾波器設(shè)計(jì)。MOSFET是這些逆變器應(yīng)用的理想之選，因?yàn)樗鼈兛梢怨ぷ髟谳^高的開關(guān)頻率下。這能減少射頻干擾（RFI），因?yàn)殚_關(guān)頻率電流分量在逆變器和輸出濾波器內(nèi)部流動(dòng)，從而消除了向外流動(dòng)。
針對逆變器應(yīng)用的MOSFET的要求包括：
特定的導(dǎo)通電阻（RSP）應(yīng)該較小，來減少導(dǎo)通損耗。器件到器件的RDSON變化應(yīng)該較小，這有兩個(gè)目的：在逆變器輸出端的DC分量較少，且該RDSON可以用于電流檢測來控制異常狀況（主要在低壓逆變器中）；對于相同的RDSON，低RSP可以減少晶圓尺寸，從而降。
當(dāng)晶圓尺寸減小時(shí)，可以使用非箝位感應(yīng)開關(guān)（UIS）。應(yīng)該采用良好的UIS來設(shè)計(jì)MOSFET單元結(jié)構(gòu)，且不能有太多的讓步。通常，對于相同的晶圓尺寸，相比平面MOSFET，現(xiàn)代溝槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圓減小了熱阻（RthJC），在這種情況下，較低的品質(zhì)因數(shù)（FOM）可以表示為RSP×RthJC/UIS。3.良好的工作區(qū)（SOA）和較低的跨導(dǎo)。
會(huì)有少量柵漏電容（CGD）（米勒電荷），但CGD/CGS比須低。適度高的CGD可以幫助減少EMI。低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了擊穿的可能性。這些逆變器不在高頻下工作，因而允許柵R有少許增加。因?yàn)檫@些逆變器工作在中等頻率上，所以可以允許有稍高的CGD和CGS。
即使在該應(yīng)用中工作頻率已較低，但降低COSS有助于減少開關(guān)損耗。同時(shí)也允許稍微COSS。
開關(guān)期間的COSS和CGD突變會(huì)引起柵振蕩和較高過沖，長時(shí)間后將有可能損壞柵。這種情況下，高源漏dv/dt會(huì)成為問題。
高柵閾值電壓（VTH）可以實(shí)現(xiàn)更好的噪性和更好的MOSFET并聯(lián)。VTH應(yīng)該過3V。
體二管恢復(fù)：需要具有低反向恢復(fù)電荷（QRR）和低反向恢復(fù)時(shí)間（tRR）的更軟、更快的體二級管。同時(shí)，軟度因子S（Tb/Ta）應(yīng)大于1。這將減小體二管恢復(fù)dv/dt及逆變器直通的可能性。活躍的體二管會(huì)引起擊穿和高壓問題。
在某些情況下，需要高（IDM）脈沖漏電流能力來提供高（ISC）短路電流擾度、高輸出濾波器充電電流和高電機(jī)起動(dòng)電流。
通過控制MOSFET的開通和關(guān)斷、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通過在晶圓上使用更多的絲焊來減少共源電感。
在快速體二管MOSFET中，體二管的電荷生命周期縮短，因而使得tRR和QRR減小，這導(dǎo)致帶體二管的MOSFET與外延二管相似。該特性使得該MOSFET成為針對各種不同應(yīng)用的高頻逆變器（包括太陽能逆變器）的選擇。至于逆變器橋臂，二管由于無功電流而被迫正向?qū)?，這使得它的特性更為重要。常規(guī)MOSFET體二管通常具有長反向恢復(fù)時(shí)間和高QRR。如果在負(fù)載電流從二管向逆變器橋臂的互補(bǔ)MOSFET轉(zhuǎn)換的過程中，體二管被迫正向?qū)?，那么?/span>tRR的整個(gè)時(shí)間段，電源將被抽走很大的電流。這增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是重要的，尤其是對于太陽能逆變器而言。
活躍體二管還會(huì)引入瞬時(shí)直通狀況，例如，當(dāng)其在高dv/dt下恢復(fù)，米勒電容中的位移電流能夠?qū)懦潆姷?/span>VTH以上，同時(shí)互補(bǔ)MOSFET會(huì)試圖導(dǎo)通。這可能引起總線電壓的瞬時(shí)短路，增加功率耗散并導(dǎo)致MOSFET失效。為避免此現(xiàn)象，可連接外部的SiC或常規(guī)硅二管與MOSFET反向并聯(lián)。因?yàn)?/span>MOSFET體二管的正向電壓較低，肖特基二管須與MOSFET串聯(lián)連接。另外，還須在MOSFET與肖特基二管組合的兩端跨接反并聯(lián)SiC。當(dāng)MOSFET反偏時(shí)，外部SiC二管導(dǎo)通，并且串接的肖特基二管不允許MOSFET體二管導(dǎo)通。這種方案在太陽能逆變器中已經(jīng)變得普及，可以效率，但卻增加了成本。
飛兆半導(dǎo)體采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一種高壓MOSFET技術(shù)功率器件，適合以上所列應(yīng)用。與UniFET MOSFET相比，由于RSP減小，UniFET II器件的晶圓尺寸也減小，這有助于改進(jìn)體二管恢復(fù)特性。這種器件目前有兩個(gè)版本：具有較好體二管的F型FRFET器件，和具有市場上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆變器橋臂中的SiC和肖特基二管，同時(shí)相同的效率并降。在這種情況下，QRR已經(jīng)從3100nC減少到260nC，并且二管開關(guān)損耗也顯著降低。
導(dǎo)通傳播延遲、電流和電壓振鈴被減小，串聯(lián)肖特基二管的傳導(dǎo)損耗也被消除。相比UniFET MOSFET，UniFET II器件還具有較低的COSS，因而開關(guān)損耗被減小。
電池供電離線UPS逆變器
在中壓應(yīng)用中，飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET技術(shù)是針對此類逆變器的不錯(cuò)的解決方案。
相比于相同MOSFET，其開通損耗也降低了約20%，如圖5所示。該體二管具有較低的tRR和QRR。根據(jù)表1，低QGD/QGS比了逆變器的性。這種MOSFET技術(shù)支持離線UPS逆變器。
開關(guān)電源市場
通過結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在功率密度、效率和性方面，正在經(jīng)歷性的發(fā)展。移相-脈寬調(diào)制-電壓開關(guān)-全橋（PS-PWM-FB-ZVS）和LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)淅?/span>FRFET MOSFET作為功率開關(guān)實(shí)現(xiàn)了這些目標(biāo)。LLC諧振轉(zhuǎn)換器通常用于較低功率應(yīng)用，而PS-PWM-FB-ZVS則用于較高功率應(yīng)用。這些拓?fù)渚哂幸韵聝?yōu)勢：減少了開關(guān)損耗；減少了EMI；相比準(zhǔn)諧振拓?fù)錅p少了MOSFET應(yīng)力；由于增加了開關(guān)頻率，了功率密度，因而減小了散熱器尺寸和變壓器尺寸。
用于移相全橋PWM-ZVS轉(zhuǎn)換器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的MOSFET要求包括：具有較低tRR和QRR以及軟度的快速軟恢復(fù)體二管MOSFET，這能dv/dt和di/dt擾性，降低二管電壓，并增加性；低QGD和QGD對QGS之比：在輕載下，將出現(xiàn)硬開關(guān)，并且高CGD*dv/dt會(huì)引起擊穿；在關(guān)斷和導(dǎo)通期間，柵內(nèi)部較低的分布R對ZVS關(guān)斷和不均勻電流分布有益；輕載下，低COSS可擴(kuò)展ZVS開關(guān)，此時(shí) ZVS開關(guān)變?yōu)橛查_關(guān)，低COSS將減少硬開關(guān)損耗；該拓?fù)涔ぷ髟诟哳l下，需要優(yōu)化的低CISS MOSFET。
以上應(yīng)用推薦使用FRFET、UniFET II和SupreMOS MOSFET。常規(guī)MOSFET體二管會(huì)引起失效。例如SupreMOS MOSFET FRFET MOSFET（FCH47N60NF）就適用于此拓?fù)?，因?yàn)?/span>tRR和QRR已有改進(jìn)。另外，會(huì)引起失效的活躍二管也已改進(jìn)。
離線式AC/DC
通常，AC電源經(jīng)整流輸入大電容濾波器，且從該電源抽取的電流為大振幅窄脈沖，該級形成了SMPS的前端。大振幅電流脈沖將產(chǎn)生諧波，而引起對其它設(shè)備的嚴(yán)重干擾，并減少可以獲得的功率。失真的線路電壓將引起電容器過熱、電介質(zhì)應(yīng)力和緣過壓；失真的線路電流將增加配電損耗，并減少可用功率。利用功率因數(shù)校正，可以合管理規(guī)范，減少因上述應(yīng)力而導(dǎo)致的器件失效，并通過增加從電源獲得的功率，改進(jìn)器件效率。
功率因數(shù)校正是一種使輸入盡可能變成純阻性的方法。與典型的SMPS只有0.6到0.7的功率因數(shù)值相比，這令人滿意，因?yàn)殡娮杈哂姓β室驍?shù)。這使得配電系統(tǒng)能夠以效率運(yùn)行。
功率因數(shù)控制升壓開關(guān)的要求包括：
低QGD×RSP品質(zhì)因數(shù)。QGD和CGD會(huì)影響開關(guān)速率，低CGD和QGD會(huì)減少開關(guān)損耗，低RSP會(huì)減少傳導(dǎo)損耗。
對于硬開關(guān)和ZVS開關(guān)，低COSS將減少關(guān)斷損耗。
低CISS將減少柵驅(qū)動(dòng)功率，因?yàn)?/span>PFC通常工作在100KHz以上的某個(gè)頻率。
高dv/dt擾能力以實(shí)現(xiàn)運(yùn)行。
如果需要MOSFET并聯(lián)，高柵閾值電壓（VTHGS）（3~5V）可以提供幫助，并且其提供的擾性可經(jīng)受dv/dt狀況再次出現(xiàn)帶來的影響。
動(dòng)態(tài)開關(guān)期間，MOSFET寄生電容的突變會(huì)導(dǎo)致柵振蕩，而增加?xùn)烹妷?。這會(huì)影響到長期的性。
柵R重要，因?yàn)楦?/span>R會(huì)增加關(guān)斷損耗，尤其是在ZVS拓?fù)渲小?/span>
針對這一應(yīng)用，推薦使用UniFET、UniFET II、常規(guī)SuperFET和SupreMOS MOSFET。FCH76N60N是市場上采用TO-247封裝、具有RDS（ON）的結(jié)MOSFET之一。通過SupreMOS技術(shù)，設(shè)計(jì)工程師可以效率和功率密度。FCP190N60是新加入到SuperFET II系列MOSFET的產(chǎn)品。相比SuperFET I MOSFET，RSP了1/3，使之成為離線AC-DC應(yīng)用的理想選擇。
次級側(cè)同步整流：同步整流也被稱為“有源”整流，它采用MOSFET替代二管。同步整流用于整流效率。通常，二管的壓降會(huì)在0.7V至1.5V之間變化，而在二管中產(chǎn)生較高功率損耗。在低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器中，該壓降顯著，將導(dǎo)致效率下降。有時(shí)會(huì)使用肖特基整流器來代替硅二管，但由于電壓升高，其正向壓降也將增加。在低壓轉(zhuǎn)換器中，肖特基整流無法提供的效率，因而這些應(yīng)用需要同步整流。
現(xiàn)代MOSFET的RSP已經(jīng)顯著減小，并且MOSFET的動(dòng)態(tài)參數(shù)也已得到優(yōu)化。當(dāng)二管被替換為這些有源受控MOSFET，便可實(shí)現(xiàn)同步整流。如今的MOSFET能夠有幾毫歐的導(dǎo)通電阻，并且可以顯著降低MOSFET的壓降，即便是在大電流下。相比二管整流，這顯著地了效率。同步整流不是硬開關(guān)，它在穩(wěn)態(tài)下具有電壓轉(zhuǎn)換。在導(dǎo)通和關(guān)斷期間，MOSFET體二管導(dǎo)通，使得MOSFET的壓降為負(fù)，并引起CISS增加。由于這種軟開關(guān)，柵恒壓（plateau）轉(zhuǎn)變?yōu)?，從而地減少了柵電荷。
以下是對同步整流的某些主要要求：低RSP；低動(dòng)態(tài)寄生電容：這減少了柵驅(qū)動(dòng)功率，因?yàn)橥秸麟娐吠ǔ９ぷ髟诟哳l下；低QRR和COSS減少了反向電流，當(dāng)此拓?fù)涔ぷ髟诟唛_關(guān)頻率下會(huì)成為一個(gè)問題，在高開關(guān)頻率下，此反向電流充當(dāng)了大漏電流；需要低tRR、QRR和軟體二管來避免瞬時(shí)擊穿并降低開關(guān)損耗。導(dǎo)通為電壓開關(guān)。在MOSFET通道關(guān)斷后，體二管再次導(dǎo)通，當(dāng)次級電壓反向時(shí)，體二管恢復(fù)，這將增加擊穿的風(fēng)險(xiǎn)?；钴S二管可能需要在每個(gè)MOSFET上跨接一個(gè)緩沖電路；低QGD/QGS比。
采用飛兆半導(dǎo)體PowerTrench技術(shù)，RSP、COSS、CRSS、和QGD/QGS比均得以降低。PowerTrench MOSFET推薦用于次級有源整流。對于相同RDS（ON），PowerTrench的晶圓尺寸大約減小了30%，RSP減少了30%，因而在同步整流中降低了傳導(dǎo)損耗。
有源OR-ing
簡單形式的OR-ing器件是一種二管。當(dāng)OR-ing二管失效時(shí)，將通過不允許電流流入輸入電源來對其進(jìn)行保護(hù)。OR-ing二管允許電流以一個(gè)方向流動(dòng)。它們用于隔離冗余電源，因而一個(gè)電源的失效不會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)。消除單點(diǎn)失效，允許系統(tǒng)使用剩余的冗余電源來保持運(yùn)行。然而，實(shí)現(xiàn)這種隔離卻有難題。一旦該OR-ing二管到電流路徑中，則會(huì)產(chǎn)生額外的功率損耗和效率降低。該功率損耗會(huì)導(dǎo)致OR-ing二管發(fā)熱，因而需要增加散熱器，降低系統(tǒng)的功率密度。當(dāng)二管關(guān)斷時(shí)，其反向恢復(fù)會(huì)成為一個(gè)問題——該二管須具有軟開關(guān)特性。為克服其中的一些問題，已使用了肖特基二管。這些二管和p-n二管之間的一個(gè)重要差異，就是減小的正向壓降和可忽略的反向恢復(fù)。普通硅二管的壓降介于0.7至1.7V之間；肖特基二管的正向電壓降在0.2至0.55V之間。雖然肖特基二管在用作OR-ing二管時(shí)，系統(tǒng)的傳導(dǎo)損耗降低，但肖特基二管卻具有較大漏電流——這將帶來傳導(dǎo)損耗。該損耗低于硅二管。
這個(gè)問題的替代解決方案是使用功率MOSFET替代肖特基二管。這引入了額外的MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器，增加了復(fù)雜性。MOSFET的RDSON須小，從而該MOSFET的壓降比肖特基二管的正向壓降低很多，這可稱為有源OR-ing?，F(xiàn)代低壓MOSFET的RDSON低——即便采用TO-220或D2PAK封裝，它也可以幾毫歐。飛兆半導(dǎo)體采用PQFN56封裝的FDS7650，對于30V MOSFET可以小到低于1毫歐。當(dāng)OR-ing MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它允許電流以任一方向流動(dòng)。在失效情況下，冗余電源將產(chǎn)生大電流，因而OR-ing MOSFET須快速關(guān)斷。飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)MOSFET也適用于這種
其它需要新型和特定MOSFET解決方案的近期應(yīng)用，包括易于安裝在家庭車庫和商業(yè)停車場的電動(dòng)汽車（EV）充電系統(tǒng)。這些EV充電系統(tǒng)將通過光伏（PV）太陽能系統(tǒng)和公用運(yùn)行。壁掛式EV充電站須實(shí)現(xiàn)快速充電。對于通信電源而言，PV電池充電站也將變得重要。
三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)和UPS逆變器需要相同類型的MOSFET，但PV太陽能逆變器可能需要不同的MOSFET，如Ultra FRFET MOSFET和常規(guī)體二管MOSFET。近幾年，業(yè)界大量投資PV太陽能發(fā)電。大多數(shù)開始于住宅太陽能項(xiàng)目，但較大的商業(yè)項(xiàng)目正在出現(xiàn)：諸如多晶硅價(jià)格從2007年400美元/千克跌落至2009年70美元/千克等，都了大的市場。
正在普及的并網(wǎng)逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電并注入現(xiàn)有公用的逆變器。直流電源由可再生能源產(chǎn)生，比如小型或大型的風(fēng)力機(jī)組或PV太陽能電池板。該逆變器也被稱為同步逆變器。當(dāng)連接至?xí)r，并網(wǎng)逆變器才會(huì)工作。今天市場上的逆變器采用了不同的拓?fù)湓O(shè)計(jì)，取決于設(shè)計(jì)的權(quán)衡要求。式逆變器采用不同設(shè)計(jì)，以按照整、滯后或功率因數(shù)供電。
對PV太陽能系統(tǒng)的市場需求早已存在，因?yàn)樘柲芸梢詭椭档透叻咫娏Τ杀?，能夠消除燃料成本的波?dòng)性，可為公用提供更多的電力，還可作為“綠色”能源進(jìn)行推廣。
美國已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，要求電力的80%來自綠色能源。原因如上所述，結(jié)合美國的目標(biāo)，PV太陽能解決方案已經(jīng)成為一個(gè)不斷的市場。這帶來了對MOSFET器件不斷的需求。如果優(yōu)化不同拓?fù)涞?/span>MOSFET器件，終端產(chǎn)品的解決方案可實(shí)現(xiàn)顯著的效率。
高開關(guān)頻率應(yīng)用需要以RDSON為代價(jià)來降低MOSFET的寄生電容，而低頻應(yīng)用卻要求以降低RDSON為優(yōu)先級。對于單端應(yīng)用，MOSFET體二管的恢復(fù)并不重要，但對于雙端應(yīng)用卻重要，因?yàn)樗鼈冃枰?/span>tRR、QRR和更軟的體二級管恢復(fù)。在軟開關(guān)雙端應(yīng)用中，這些要求對于性其重要。在硬開關(guān)應(yīng)用中，隨著工作電壓增加，導(dǎo)通和關(guān)斷損耗也將增加。為減少關(guān)斷損耗，可以根據(jù)RDSON來優(yōu)化CRSS和COSS。
MOSFET支持電壓開關(guān)（ZVS）和電流開關(guān)（ZCS）拓?fù)?，不過IGBT卻支持ZCS拓?fù)?。通常?/span>IGBT用于大電流和低頻開關(guān)，而MOSFET則用于小電流和高頻開關(guān)。混合模式工具可以用來設(shè)計(jì)特定應(yīng)用的MOSFET。在硅和溝槽技術(shù)方面的進(jìn)展降低了導(dǎo)通電阻（RDSON）和其他動(dòng)態(tài)寄生電容，并改進(jìn)了MOSFET的體二管恢復(fù)性能。封裝技術(shù)也在這些特定應(yīng)用的MOSFET中發(fā)揮了作用。
逆變器系統(tǒng)
DC-AC逆變器廣泛用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS和綠色能源系統(tǒng)。通常，高電壓和大功率的系統(tǒng)使用IGBT，但對于低壓、中壓和高壓（12V至400V輸入直流總線）而言，通常使用MOSFET。在用于太陽能逆變器、UPS逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的高頻DC-AC逆變器中，MOSFET已獲得普及。在直流總線電壓大于400V的某些應(yīng)用中，高壓MOSFET被用于小功率應(yīng)用。MOSFET具有一個(gè)固有的開關(guān)性能很差的體二管，該二管通常會(huì)在逆變器橋臂的互補(bǔ)MOSFET中帶來高開通損耗。在單開關(guān)或單端應(yīng)用（例如PFC、正激或反激轉(zhuǎn)換器）中，體二管并未正向偏置，因而可以忽略它的存在。低載頻逆變器承受著附加輸出濾波器的尺寸、重量和成本的負(fù)擔(dān)；高載頻逆變器的優(yōu)勢則是更小、更的低通濾波器設(shè)計(jì)。MOSFET是這些逆變器應(yīng)用的理想之選，因?yàn)樗鼈兛梢怨ぷ髟谳^高的開關(guān)頻率下。這能減少射頻干擾（RFI），因?yàn)殚_關(guān)頻率電流分量在逆變器和輸出濾波器內(nèi)部流動(dòng)，從而消除了向外流動(dòng)。
針對逆變器應(yīng)用的MOSFET的要求包括：
特定的導(dǎo)通電阻（RSP）應(yīng)該較小，來減少導(dǎo)通損耗。器件到器件的RDSON變化應(yīng)該較小，這有兩個(gè)目的：在逆變器輸出端的DC分量較少，且該RDSON可以用于電流檢測來控制異常狀況（主要在低壓逆變器中）；對于相同的RDSON，低RSP可以減少晶圓尺寸，從而降。
當(dāng)晶圓尺寸減小時(shí)，可以使用非箝位感應(yīng)開關(guān)（UIS）。應(yīng)該采用良好的UIS來設(shè)計(jì)MOSFET單元結(jié)構(gòu)，且不能有太多的讓步。通常，對于相同的晶圓尺寸，相比平面MOSFET，現(xiàn)代溝槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圓減小了熱阻（RthJC），在這種情況下，較低的品質(zhì)因數(shù)（FOM）可以表示為RSP×RthJC/UIS。3.良好的工作區(qū)（SOA）和較低的跨導(dǎo)。
會(huì)有少量柵漏電容（CGD）（米勒電荷），但CGD/CGS比須低。適度高的CGD可以幫助減少EMI。低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了擊穿的可能性。這些逆變器不在高頻下工作，因而允許柵R有少許增加。因?yàn)檫@些逆變器工作在中等頻率上，所以可以允許有稍高的CGD和CGS。
即使在該應(yīng)用中工作頻率已較低，但降低COSS有助于減少開關(guān)損耗。同時(shí)也允許稍微COSS。
開關(guān)期間的COSS和CGD突變會(huì)引起柵振蕩和較高過沖，長時(shí)間后將有可能損壞柵。這種情況下，高源漏dv/dt會(huì)成為問題。
高柵閾值電壓（VTH）可以實(shí)現(xiàn)更好的噪性和更好的MOSFET并聯(lián)。VTH應(yīng)該過3V。
體二管恢復(fù)：需要具有低反向恢復(fù)電荷（QRR）和低反向恢復(fù)時(shí)間（tRR）的更軟、更快的體二級管。同時(shí)，軟度因子S（Tb/Ta）應(yīng)大于1。這將減小體二管恢復(fù)dv/dt及逆變器直通的可能性。活躍的體二管會(huì)引起擊穿和高壓問題。
在某些情況下，需要高（IDM）脈沖漏電流能力來提供高（ISC）短路電流擾度、高輸出濾波器充電電流和高電機(jī)起動(dòng)電流。
通過控制MOSFET的開通和關(guān)斷、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通過在晶圓上使用更多的絲焊來減少共源電感。
在快速體二管MOSFET中，體二管的電荷生命周期縮短，因而使得tRR和QRR減小，這導(dǎo)致帶體二管的MOSFET與外延二管相似。該特性使得該MOSFET成為針對各種不同應(yīng)用的高頻逆變器（包括太陽能逆變器）的選擇。至于逆變器橋臂，二管由于無功電流而被迫正向?qū)?，這使得它的特性更為重要。常規(guī)MOSFET體二管通常具有長反向恢復(fù)時(shí)間和高QRR。如果在負(fù)載電流從二管向逆變器橋臂的互補(bǔ)MOSFET轉(zhuǎn)換的過程中，體二管被迫正向?qū)?，那么?/span>tRR的整個(gè)時(shí)間段，電源將被抽走很大的電流。這增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是重要的，尤其是對于太陽能逆變器而言。
活躍體二管還會(huì)引入瞬時(shí)直通狀況，例如，當(dāng)其在高dv/dt下恢復(fù)，米勒電容中的位移電流能夠?qū)懦潆姷?/span>VTH以上，同時(shí)互補(bǔ)MOSFET會(huì)試圖導(dǎo)通。這可能引起總線電壓的瞬時(shí)短路，增加功率耗散并導(dǎo)致MOSFET失效。為避免此現(xiàn)象，可連接外部的SiC或常規(guī)硅二管與MOSFET反向并聯(lián)。因?yàn)?/span>MOSFET體二管的正向電壓較低，肖特基二管須與MOSFET串聯(lián)連接。另外，還須在MOSFET與肖特基二管組合的兩端跨接反并聯(lián)SiC。當(dāng)MOSFET反偏時(shí)，外部SiC二管導(dǎo)通，并且串接的肖特基二管不允許MOSFET體二管導(dǎo)通。這種方案在太陽能逆變器中已經(jīng)變得普及，可以效率，但卻增加了成本。
飛兆半導(dǎo)體采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一種高壓MOSFET技術(shù)功率器件，適合以上所列應(yīng)用。與UniFET MOSFET相比，由于RSP減小，UniFET II器件的晶圓尺寸也減小，這有助于改進(jìn)體二管恢復(fù)特性。這種器件目前有兩個(gè)版本：具有較好體二管的F型FRFET器件，和具有市場上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆變器橋臂中的SiC和肖特基二管，同時(shí)相同的效率并降。在這種情況下，QRR已經(jīng)從3100nC減少到260nC，并且二管開關(guān)損耗也顯著降低。
導(dǎo)通傳播延遲、電流和電壓振鈴被減小，串聯(lián)肖特基二管的傳導(dǎo)損耗也被消除。相比UniFET MOSFET，UniFET II器件還具有較低的COSS，因而開關(guān)損耗被減小。
電池供電離線UPS逆變器
在中壓應(yīng)用中，飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET技術(shù)是針對此類逆變器的不錯(cuò)的解決方案。
相比于相同MOSFET，其開通損耗也降低了約20%，如圖5所示。該體二管具有較低的tRR和QRR。根據(jù)表1，低QGD/QGS比了逆變器的性。這種MOSFET技術(shù)支持離線UPS逆變器。
開關(guān)電源市場
通過結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在功率密度、效率和性方面，正在經(jīng)歷性的發(fā)展。移相-脈寬調(diào)制-電壓開關(guān)-全橋（PS-PWM-FB-ZVS）和LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)淅?/span>FRFET MOSFET作為功率開關(guān)實(shí)現(xiàn)了這些目標(biāo)。LLC諧振轉(zhuǎn)換器通常用于較低功率應(yīng)用，而PS-PWM-FB-ZVS則用于較高功率應(yīng)用。這些拓?fù)渚哂幸韵聝?yōu)勢：減少了開關(guān)損耗；減少了EMI；相比準(zhǔn)諧振拓?fù)錅p少了MOSFET應(yīng)力；由于增加了開關(guān)頻率，了功率密度，因而減小了散熱器尺寸和變壓器尺寸。
用于移相全橋PWM-ZVS轉(zhuǎn)換器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的MOSFET要求包括：具有較低tRR和QRR以及軟度的快速軟恢復(fù)體二管MOSFET，這能dv/dt和di/dt擾性，降低二管電壓，并增加性；低QGD和QGD對QGS之比：在輕載下，將出現(xiàn)硬開關(guān)，并且高CGD*dv/dt會(huì)引起擊穿；在關(guān)斷和導(dǎo)通期間，柵內(nèi)部較低的分布R對ZVS關(guān)斷和不均勻電流分布有益；輕載下，低COSS可擴(kuò)展ZVS開關(guān)，此時(shí) ZVS開關(guān)變?yōu)橛查_關(guān)，低COSS將減少硬開關(guān)損耗；該拓?fù)涔ぷ髟诟哳l下，需要優(yōu)化的低CISS MOSFET。
以上應(yīng)用推薦使用FRFET、UniFET II和SupreMOS MOSFET。常規(guī)MOSFET體二管會(huì)引起失效。例如SupreMOS MOSFET FRFET MOSFET（FCH47N60NF）就適用于此拓?fù)?，因?yàn)?/span>tRR和QRR已有改進(jìn)。另外，會(huì)引起失效的活躍二管也已改進(jìn)。
離線式AC/DC
通常，AC電源經(jīng)整流輸入大電容濾波器，且從該電源抽取的電流為大振幅窄脈沖，該級形成了SMPS的前端。大振幅電流脈沖將產(chǎn)生諧波，而引起對其它設(shè)備的嚴(yán)重干擾，并減少可以獲得的功率。失真的線路電壓將引起電容器過熱、電介質(zhì)應(yīng)力和緣過壓；失真的線路電流將增加配電損耗，并減少可用功率。利用功率因數(shù)校正，可以合管理規(guī)范，減少因上述應(yīng)力而導(dǎo)致的器件失效，并通過增加從電源獲得的功率，改進(jìn)器件效率。
功率因數(shù)校正是一種使輸入盡可能變成純阻性的方法。與典型的SMPS只有0.6到0.7的功率因數(shù)值相比，這令人滿意，因?yàn)殡娮杈哂姓β室驍?shù)。這使得配電系統(tǒng)能夠以效率運(yùn)行。
功率因數(shù)控制升壓開關(guān)的要求包括：
低QGD×RSP品質(zhì)因數(shù)。QGD和CGD會(huì)影響開關(guān)速率，低CGD和QGD會(huì)減少開關(guān)損耗，低RSP會(huì)減少傳導(dǎo)損耗。
對于硬開關(guān)和ZVS開關(guān)，低COSS將減少關(guān)斷損耗。
低CISS將減少柵驅(qū)動(dòng)功率，因?yàn)?/span>PFC通常工作在100KHz以上的某個(gè)頻率。
高dv/dt擾能力以實(shí)現(xiàn)運(yùn)行。
如果需要MOSFET并聯(lián)，高柵閾值電壓（VTHGS）（3~5V）可以提供幫助，并且其提供的擾性可經(jīng)受dv/dt狀況再次出現(xiàn)帶來的影響。
動(dòng)態(tài)開關(guān)期間，MOSFET寄生電容的突變會(huì)導(dǎo)致柵振蕩，而增加?xùn)烹妷?。這會(huì)影響到長期的性。
柵R重要，因?yàn)楦?/span>R會(huì)增加關(guān)斷損耗，尤其是在ZVS拓?fù)渲小?/span>
針對這一應(yīng)用，推薦使用UniFET、UniFET II、常規(guī)SuperFET和SupreMOS MOSFET。FCH76N60N是市場上采用TO-247封裝、具有RDS（ON）的結(jié)MOSFET之一。通過SupreMOS技術(shù)，設(shè)計(jì)工程師可以效率和功率密度。FCP190N60是新加入到SuperFET II系列MOSFET的產(chǎn)品。相比SuperFET I MOSFET，RSP了1/3，使之成為離線AC-DC應(yīng)用的理想選擇。
次級側(cè)同步整流：同步整流也被稱為“有源”整流，它采用MOSFET替代二管。同步整流用于整流效率。通常，二管的壓降會(huì)在0.7V至1.5V之間變化，而在二管中產(chǎn)生較高功率損耗。在低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器中，該壓降顯著，將導(dǎo)致效率下降。有時(shí)會(huì)使用肖特基整流器來代替硅二管，但由于電壓升高，其正向壓降也將增加。在低壓轉(zhuǎn)換器中，肖特基整流無法提供的效率，因而這些應(yīng)用需要同步整流。
現(xiàn)代MOSFET的RSP已經(jīng)顯著減小，并且MOSFET的動(dòng)態(tài)參數(shù)也已得到優(yōu)化。當(dāng)二管被替換為這些有源受控MOSFET，便可實(shí)現(xiàn)同步整流。如今的MOSFET能夠有幾毫歐的導(dǎo)通電阻，并且可以顯著降低MOSFET的壓降，即便是在大電流下。相比二管整流，這顯著地了效率。同步整流不是硬開關(guān)，它在穩(wěn)態(tài)下具有電壓轉(zhuǎn)換。在導(dǎo)通和關(guān)斷期間，MOSFET體二管導(dǎo)通，使得MOSFET的壓降為負(fù)，并引起CISS增加。由于這種軟開關(guān)，柵恒壓（plateau）轉(zhuǎn)變?yōu)?，從而地減少了柵電荷。
以下是對同步整流的某些主要要求：低RSP；低動(dòng)態(tài)寄生電容：這減少了柵驅(qū)動(dòng)功率，因?yàn)橥秸麟娐吠ǔ９ぷ髟诟哳l下；低QRR和COSS減少了反向電流，當(dāng)此拓?fù)涔ぷ髟诟唛_關(guān)頻率下會(huì)成為一個(gè)問題，在高開關(guān)頻率下，此反向電流充當(dāng)了大漏電流；需要低tRR、QRR和軟體二管來避免瞬時(shí)擊穿并降低開關(guān)損耗。導(dǎo)通為電壓開關(guān)。在MOSFET通道關(guān)斷后，體二管再次導(dǎo)通，當(dāng)次級電壓反向時(shí)，體二管恢復(fù)，這將增加擊穿的風(fēng)險(xiǎn)?；钴S二管可能需要在每個(gè)MOSFET上跨接一個(gè)緩沖電路；低QGD/QGS比。
采用飛兆半導(dǎo)體PowerTrench技術(shù)，RSP、COSS、CRSS、和QGD/QGS比均得以降低。PowerTrench MOSFET推薦用于次級有源整流。對于相同RDS（ON），PowerTrench的晶圓尺寸大約減小了30%，RSP減少了30%，因而在同步整流中降低了傳導(dǎo)損耗。
有源OR-ing
簡單形式的OR-ing器件是一種二管。當(dāng)OR-ing二管失效時(shí)，將通過不允許電流流入輸入電源來對其進(jìn)行保護(hù)。OR-ing二管允許電流以一個(gè)方向流動(dòng)。它們用于隔離冗余電源，因而一個(gè)電源的失效不會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)。消除單點(diǎn)失效，允許系統(tǒng)使用剩余的冗余電源來保持運(yùn)行。然而，實(shí)現(xiàn)這種隔離卻有難題。一旦該OR-ing二管到電流路徑中，則會(huì)產(chǎn)生額外的功率損耗和效率降低。該功率損耗會(huì)導(dǎo)致OR-ing二管發(fā)熱，因而需要增加散熱器，降低系統(tǒng)的功率密度。當(dāng)二管關(guān)斷時(shí)，其反向恢復(fù)會(huì)成為一個(gè)問題——該二管須具有軟開關(guān)特性。為克服其中的一些問題，已使用了肖特基二管。這些二管和p-n二管之間的一個(gè)重要差異，就是減小的正向壓降和可忽略的反向恢復(fù)。普通硅二管的壓降介于0.7至1.7V之間；肖特基二管的正向電壓降在0.2至0.55V之間。雖然肖特基二管在用作OR-ing二管時(shí)，系統(tǒng)的傳導(dǎo)損耗降低，但肖特基二管卻具有較大漏電流——這將帶來傳導(dǎo)損耗。該損耗低于硅二管。
這個(gè)問題的替代解決方案是使用功率MOSFET替代肖特基二管。這引入了額外的MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器，增加了復(fù)雜性。MOSFET的RDSON須小，從而該MOSFET的壓降比肖特基二管的正向壓降低很多，這可稱為有源OR-ing?，F(xiàn)代低壓MOSFET的RDSON低——即便采用TO-220或D2PAK封裝，它也可以幾毫歐。飛兆半導(dǎo)體采用PQFN56封裝的FDS7650，對于30V MOSFET可以小到低于1毫歐。當(dāng)OR-ing MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它允許電流以任一方向流動(dòng)。在失效情況下，冗余電源將產(chǎn)生大電流，因而OR-ing MOSFET須快速關(guān)斷。飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)MOSFET也適用于這種
