產(chǎn)品參數(shù)：

&sp;

　　存儲容量：64M
　　頻率：166
　　批號：2013+
　　針腳數(shù)：54
　　類型：通信IC
　　型號：W9864G6JH-6
　　品牌：WIOND/華邦電子
　　用途：影碟機(jī)
　　電源電壓：3.3
　　封裝：TSOP54
　　
增加PHR的方法
　　顯然，這與預(yù)充電管理策略有著直接的關(guān)系，目前有兩種方法來盡量PHR.自動預(yù)充電技術(shù)就是其中之一，它自動的在每次行操作之后進(jìn)行預(yù)充電，從而減少了日后對同一L-Bank不同行尋址時發(fā)生沖突的可能性。但是，如果要在當(dāng)前行工作完成后馬上打開同一L-Bank的另一行工作時，仍然存在tRP的延遲。怎么辦？ 此時就需要L-Bank交錯預(yù)充電了。
　　VIA的4路交錯式內(nèi)存控制就是在一個L-Bank工作時，對下一個要工作的L-Bank進(jìn)行預(yù)充電。這樣，預(yù)充電與數(shù)據(jù)的傳輸交錯執(zhí)行，當(dāng)訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進(jìn)入行狀態(tài)了。目前VIA聲稱可以跨P-Bank進(jìn)行16路內(nèi)存交錯，并以LRU算法進(jìn)行預(yù)充電管理。
　　有關(guān)L-Bank交錯預(yù)充電（存?。┑木唧w執(zhí)行在本刊2001年第2期已有詳細(xì)介紹，這里就重復(fù)了。
　　L-Bank交錯自動預(yù)充電/讀取時序圖（可點(diǎn)擊放大）：L-Bank 0與L-Bank 3實(shí)現(xiàn)了無間隔交錯讀取，避免了tRP對性能的影響 三、增加PFHR的方法
　　無論是自動預(yù)充電還是交錯工作的方法消除tRCD所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進(jìn)行預(yù)充電前盡可能多的接收多個工作命令，以背靠背的效果，此時就只剩下CL所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。

&sp;

Description		The W9864G6JH is a 64M SDRAM and speed involving -5/-6/-6I/-6A/-7/-7S Status: M Production
Features		3.3V± 0.3V for -5/-6/-6I/-6A grade power supply 2.7V~3.6V for -7/-7S grade power supply 1,048,576 words x 4 banks x 16 bits organization Self Refresh Current: Standard and Low Power CAS Latency: 2 & 3 Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page Sequential and Interleave Burst Byte data controlled by LDQM, UDQM Auto-precharge and controlled precharge Burst read, single write operation 4K refresh cycles/64mS Interface: LVTTL
Diagram		N/A
Package		Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant

&sp;