FET的組成:
FET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。
大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于半導(dǎo)體,常常用柵緣體和電。



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FET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。
大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于半導(dǎo)體,常常用柵緣體和電。